首尔，7月4日(IANS):行业消息人士周四表示，全球最大的存储芯片制造商三星电子新成立了一个专门开发高带宽存储器(HBM)的部门，以重新获得在人工智能(AI)半导体市场的领导地位。
据消息人士透露，新的HBM开发团队是该公司半导体部门组织改革的一部分，旨在巩固研发职能并加强研究工作。
据韩联社报道，设计高性能DRAM的副总裁孙英秀将领导这个团队。
这是自5月末全荣铉副会长上任以来的首次人事调整。
HBM团队将专注于下一代HBM4产品以及HBM3和HBM3E的研发。这一举措突显了该科技巨头致力于加强HBM的研发结构，HBM是一种高需求的高性能DRAM，特别是对于人工智能计算的关键英伟达图形处理单元。
三星电子开发了业界领先的12层HBM3E产品，并通过了英伟达的质量测试。但该市场一直由其竞争对手SK海力士(SK hynix Inc.)凭借最新的HBM3E占据主导地位。
为了巩固其地位，三星还重组了其先进的包装团队和设备技术实验室，以提高其整体技术竞争力。最新的变化是为了提高三星在蓬勃发展的HBM市场上的竞争力。该公司最近用Jun取代了其半导体业务负责人，并开始招聘800多个职位，包括开发和验证下一代DRAM解决方案控制器的职位。
过去几年，三星电子的芯片业务一直在与销售低迷作斗争，去年的营业亏损超过15万亿韩元(110亿美元)。从2022年第四季度到2023年第四季度，该公司连续五个季度出现运营亏损。但是，得益于存储芯片价格的上涨，半导体事业在2024年第一季度(1 ~ 3月)实现了营业利润1.91万亿韩元、销售额23.1万亿韩元的反弹。
三星电子将于周五公布第二季度业绩预期。
